インフォメーション

2013年度 インフォメーション

強誘電体・圧電体材料


強誘電体、圧電効果をもつPZT 系の材料はFeRAM(強誘電体メモリ)や、MEMS センサー、インクジェット用途として幅広く応用されています。スパッタターゲット、MOD コート材、MOCVD 材料といった、あらゆる方面の成膜材料を豊富に揃えています。PZT 系やBST 系の複合酸化物はもちろん、各種濃度組成、カスタム品も対応いたします。

強誘電体 圧電体用材料事例


 
ゲート絶縁体用 La2O3, >La2O3-Mox, HfO2, Y2O3, HfO2-Al2O3 etc.
圧電・強誘電体用 PZT、PNZT、PLZT、PLT,PMN-PT, KNbO3, KTaNbOx
(Bi, La)4Ti3O12、 (Bi, Nd)4Ti3O12, SrBi2(TaNb)2O9
電極用 Pt, Ir, Ru, RuO2, SrRuO3
(La, Sr)CoO3, Ti, TiN, TiOx, Ta, etc.
薄膜コンデンサー用 Ta2O5,(Ba, Sr)TiO3, SrTiO3

MOD(Metal Organic Decomposition)

  MOD コート材料は、ディップ法、スピンコート法LSMCD 法を用い基板上に各種機能膜を作成する液体材料です。
特徴は、その幅広いラインナップにあります。

主な強誘電体、高誘電体用MOD コート材


 
分類 品名 焼成後酸化物 濃度
PZT系 PZT-20 Pb(ZrTi)O3 20wt%
PLZT-20 (PbLa)(ZrTi)O3 20wt%
PLZT-20 Pb(NbZrTi)O3 20wt%
PT-25 PbrTiO3 20wt%
Bi系 Y-Z ver.2 SrBi2(TaNb)3O12 0.2mol/L
BST他 BST-06-P (BaSr)TiO3 6wt%
BT-06 BaTiO3 6wt%
ST-06 SrTiO3 6wt%

各種濃度組成の対応、ここにない元素や組み合わせでも対応いたしますので、ご相談ください。 事例:PZT-25(110/52/48) 高濃度、組成比のカスタマイズなど。

MOD 材料について、詳しくはこちらもご参照ください。


CVD(Chemical Vapor Deposition)

  製品類の合成技術、精製技術、分析技術、及び容器の洗浄・メンテナンス・設計技術等について豊富な経験と実績を有しております。開発用の小型シリンダーから量産用の大型タンクまで、スピーディーな対応が可能です。

主なMOCVD材料


 
製品名 融点 蒸気圧 (P:Pa,t:℃) 比重
Si(OC2H5)4 -82.5 log10P=4.9936-856.8/(t+118.13) 0.92
Ta(OC2H5)5 21℃ log10P=12.645-4505/(t+273.15) 1.56
Hf(OtC4H9)4 8℃ log10P=11.265-3052/(t+273.15) 1.17
Ru(C5H4C2H5)2 6℃ log10P=11.875-3708/(t+273.15) 1.56
Pb(C11H19O2)2 130℃ 昇華 log10P=20.545-7800/(t+273.15)
蒸発log10P=12.065-4480/(t+273.15)
1.52
Zr(OiC3H7)(C11H19O2)3 >210℃ log10P=19.735-7924/(t+273.15) 1.0
Ti(OiC3H7)2(C11H19O2)2 160℃ log10P=14.855-5435/(t+273.15) 1.0

CVD 材料についてはこちらもご参照ください。


PVD (Physical Vapor Deposition)

各種サイズ、純度/ガス量/結晶粒の要望、バッキングプレート制作、ボンディング加工、装置周辺部品の製作に対 応致します。標準組成がありますが、ご要望に応じて調整は可能です。

主な強誘電体、高誘電体用スパッタリングターゲット


  PZT ターゲット SRO ターゲット
写真
XRD
特徴
酸素欠損が少なく、結晶性が良い製品を御提供できます。 密度90%以上。SRO-HD として販売しております。

各種スパッタリングターゲット材料についてはこちらもご参照ください。


2014.3