溅射靶材

溅射靶材是一种通过溅射法生成薄膜的材料，由金属及陶瓷加工制造而成。
我们通过将熔化技术，烧结技术，合成技术以及加工技术进行技术融合，可以对各种素材，纯度以及形状的产品进行处理。

金属类

陶瓷类

各种链接

各种溅射靶材的产品例

金属靶材

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高纯度金属	Al, Co, Cu, Fe, Mg, Mn, Sn
高熔点金属合金	Cr,Mo,Nb,Ta,Ti,V,W系列的合金
非磁性合金	Al, Bi, Cu, Mg, Sn, Zn系列的合金/ Bi2Te3, Mg2Si
磁性合金	Co, Fe, Ni系列的合金/ Co-Fe-B, Co-Pt, Fe-Pt
赫斯勒合金	Co, Fe, Ni基赫斯勒合金
Mn系列的合金	Mn-Al, Mn-Bi, Mn-Ga, Mn-Ir, Mn-Si
贵金属合金	Au,Ag,Pt,Pd系列的合金

无机化合物靶材

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氧化物	Al₂O₃,MgO,SiO₂,TiO₂,ZnO,La₂O₃ ITO,PZT,STO,LiCoO₂,Li₄Ti₅O₁₂,Li₃PO₄
碳化物	SiC,B₄C,WC
其他化合物	氮化物，氟化物，磷化物，硫化物，硒化物

复合靶材

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金属相	Co-Cr-Pt, Fe, Fe-Ni, Fe-Pt等各种纯金属・合金
非金属相	Al₂O₃, MgO, SiO₂等各种氧化物・氮化物

标准尺寸一览

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单位 [mm]

圆球型	直径	φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4
矩形	平面尺寸	127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508
厚度		ｔ3、ｔ5、ｔ6.35

高纯度材料

各种高纯度金属产品

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Al	～6N	Mn	～4N
Co	～4N5	Sn	～5N
Cu	～6N	Ti	～5N
In	～5N	Zn	～5N
Mg	～4N5	其他各种合金

高纯度 Mg

高纯度 Mn

其他合金 Co-Fe-B

高纯度 Mg

我们秉持着「高纯度材料是技术革新的源泉」的信念，对各种高纯度材料进行开发及生产。我们确立了Mg的高纯度化技术，并使用其对溅射靶材进行生产及供应。

纯度	4N5
尺寸	φ50.8～φ164

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分析例

单位: ppm

元素	高纯度 Mg	通常品 Mg
Ca	ND※	10
Cd	ND※	ND※
Cu	ND※	10
Fe	ND※	40
Mn	ND※	40
Zn	20	20

※定量下限值以下

高纯度 Mn

Mn是一种脆性材料，在靶材的加工上非常困难。我们通过最合适的生产条件，实现了高纯度Mn靶材的生产。

纯度	4N
尺寸	请联系我们进行商谈

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分析例

单位: ppm

元素	高纯度 Mn 4N	通常品 Mn 2N8
Ca	ND※	ND※
Cr	20	130
Fe	30	1400
Mg	ND※	70
Si	ND※	10

※定量下限值以下

其他合金 Co-Fe-B

Co-Fe-B是一种脆性材料，大多数情况下通过烧结工序进行加工。我们通过熔融法确立了低氧化技术，并且运用高纯度化技术实现了高纯度靶材的加工生产。
Co-Fe-B的构成比以及添加第4元素构成Co-Fe-B-α等，根据客户的需求可进行任意订制。

纯度	4N
尺寸	φ50.8～φ300
B含量	≦ 20atm%
气体含量	O < 70ppm N < 70ppm

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分析例

单位: ppm

元素	高纯度 Co-Fe-B 4N	通常品 Co-Fe-B 3N
Al	ND※	ND※
Cr	ND※	20
Cu	20	20
Mn	ND※	ND※
Ni	ND※	150
Si	20	20

※定量下限值以下

介电・压电材料

MEMS材料例

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栅极绝缘膜	La₂O₃、HfO₂、Y₂O₃、HfO₂-Al₂O₃
压电材料	PZT、PNZT、PLZT、PLT、PMN-PT、PNN-PZT、NaNbO₃、KNbO₃、KNN、BNT、BFO
高介电材料	(BaSr)TiO₃、SrTiO₃
电极	Pt、Ir、Ru、RuO₂、SrRuO₃、LaNiO₃、(LaSr)CoO₃、Ti、TiN、TiO_x、Ta

PXT，PNZT

高密度 SrRuO3₃

无铅高介电・压电材料

PXT，PNZT

我们可以供应缺氧较少且高结晶度的产品。

PZT 靶材

PNZT：掺杂Nb的PZT靶材

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材料	PZT	PNZT
对应比率	Pb_aZr_bTi_1-bO_x a=1.0～1.3　b=0.1～0.9	Pb_a(Zr_bTi_1-b)_cNb_1-cO_x a=1.0～1.3　b=0.1～0.9　c=0.8～0.9
尺寸	φ50～
厚度	t3～t10
纯度	3N （Hf 2000-3000ppm除外）
掺杂物	Al、Cu、Ta＜100ppm

高密度 SrRuO₃

SrRuO_x(SRO)是以BST或PZT为电容器的FeRAM中下部电极所使用的材料。众所周知，与铂电极相比，将SRO用于底部电极可提高电容器的介电及铁电性能。
与PT外壳相比，SRO的使用也有望减少由于在电容器制造过程中，加热时与电介质发生反应而导致的退化。
我们运用独自的技术，抑制了颗粒的生成，开发了可稳定进行成膜的高密度SRO（SRO-HD）。

纯度	3N（Zr除外）
尺寸	～φ300 mm
密度(理论值)	85%以上(6.48[g/c㎡])

无铅高介电・压电材料

我们可以广泛处理以(BaSr)TiO₃为代表的高介电材料以及NaNbO₃,KNbO₃,(KNa)NbO₃,BNT-BT等压电材料。

（Ba_0.5 Sr_0.5） TiO_x靶材

(BaSr)TiO_x

　 (BaSr)TiO₃拥有较高的介电常数，在半导体存储器电容介电材料中的应用引起了人们的关注。我们运用独自的技术开发了一种电阻率低于通常情况的靶材。

纯度	3N
尺寸	φ50.8～φ300
密度(理论值)	90%以上

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	SrTiOx	(Ba_0.5Sr_0.5)TiO_x	(Ba_0.7Sr_0.3)TiO_x	(Ba_0.8Sr_0.2)TiO_x
理论密度[g/㎤]	5.12	5.63	5.68	5.84
电阻系数 [Ω㎝] 参考数值	5×10^-2以下		5×10^-1以下

电池，能量关联材料

二次电池材料例

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正极材料	LiCoO₂、LiFeO₂、Li₂MnO₃、LiFePO₄、LiCoPO₄、LiMnPO₄、LiMn₂O₄、Li(NiMn)₂O₄
固体电解质	Li₃PO₄、(LiLa)TiO₃、Li₂B₄O₇
负极材料	LiNbO₃、Li₂TiO₃、Li₄Ti₅O₁₂

太阳能电池材料例

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减反射膜	MgF₂、SiN、TiO₂、SiO₂
透明电极层	GZO、ITO、IZO、TiO₂-Nb
缓冲层	ZnO、ZnS、AZO
吸光层	CIS、CGS、CIGS、CAS、CZTS、S或硒化物，以及其他复合材料
电极	Ag、Al、Mo

吸光层用材料

我们通过独自的合成技术可自由对成分进行控制，依照客户的需求提供对应成分的粉末及靶材。

CuIn_xGa_1-xSe₂

产品	纯度
In₂Se₃	～4N
GaSe	～3N
CuIn_xGa_1-xS₂	～3N
CuIn_xGa_1-xSe₂	～3N
Cu-Ga	～4N

X射线衍射

二次电池材料

我们可对诸如正极材料，负极材料以及固体电解质等各种构成二次电池的材料进行生产。
作为生产薄膜锂电池的材料，我们可供应溅射靶材，啶片材以及成型烧结体。关于各种形状，组合以及订制等要求，请对我们进行咨询。

减反射膜用材料等

NbO

产品	纯度
SnO₂	～4N
NbO_x	3N
TiO₂	～4N
MgF₂	3N
ZnS	～4N

透明电极层用材料等

In₂O₃-SnO₂

我们可以对透明电极以及非晶体氧化物半导体进行处理。

产品	纯度
In₂O₃-SnO₂	～4N
掺杂Al的ZnO	～4N

电极用等

产品	纯度
Ag	～4N
Al	～5N
Mo	～3N7
ZnS	～4N

磁性器件材料

TMG/GMR元件材料例

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磁性层	Co-Fe-B Co-Fe、Tb-Fe-Co、Ni-Fe、Ni-Fe-Co Co/Pt、Fe/Pt Mn-Ga等Mn合金 Co₂(FeMn)Si等Co基纯赫斯勒合金
屏障层	MgO、Mg
非磁性层	Ag合金
间隔层	Ru、Cu、Ta
反铁磁层	Ir-Mn、Pt-Mn
电极	Cr、Au、Ru、Ta