CVD材料 / 株式会社高純度化学研究所

CVD材料とは、蒸気圧を有する原材料をガス化させ、様々な条件下における気相中の化学反応を利用し、希望する物質を成膜するための材料です。
当社ではお客様のご要望により様々な製品を提供しております。

当社は半導体デバイス用に現在最も大量に用いられているCVD材料であるTEOSのパイオニアです。
TEOSとともに用いられえることが多いTMOP、TMB、TEOA等をはじめ、様々な種類のCVD材料を生産しております。

（* は当社のオリジナル商品です。）
	分子量	融点	蒸気圧	比重	備考
Hf[N(CH₃)₂]₄ TDMAH MSDS 物性表	354.79	28℃	log₁₀P=12.115-3377/ (t+273.15) (P:Pa,t:℃)	1.48（50）	水と激しく反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。
Hf[N(C₂H₅)CH₃]₄ TEMAH MSDS 物性表	410.90	<-70℃	log₁₀P=12.595-3846/ (t+273.15) (P:Pa,t:℃)	1.32(20)	水と激しく反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。
Hf[N(C₂H₅)₂]₄ TDEAH MSDS 物性表	467.01	-70℃	約90℃/13.3Pa	1.25(20)	水と激しく反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。
Zr[N(C₂H₅)CH₃]₄ TEMAZ MSDS 物性表	323.63	<-70℃	約65℃/13.3Pa	1.05(20)	水と激しく反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。
SiH[N(CH₃)₂]₃ MSDS 物性表	161.32	-90℃	log₁₀P=10.177-2147/ (t+273.15) (P:Pa,t:℃)	0.580(20)	水と反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。
Ta(NtC₅H₁₁)[N(CH₃)₂]₃ *Taimata MSDS 物性表	398.32	36℃	log₁₀P=10.795-3233/ (t+273.15) (P:Pa,t:℃)	1.43	水と反応して分解する。大気中の酸素と反応して分解する。

上記商品は一例です。詳しくはこちらからお問い合せ下さい。

CVD材料は物性や純度の高さから生産には高い技術レベルが要求されます。
当社は、これらの製品の精製技術、分析技術シリンダーの洗浄・メンテナンス及び設計技術についてユーザーの皆様から高い評価を受けています。

当社は、次世代の半導体用CVD材料においても様々なユーザーニーズに対応して研究開発を進めています。
試薬メーカーとして培われた、ハロゲン化物やアルコキシド等の金属有機化合物の合成技術と、シリコン半導体材料の量産で培った技術をもとに開発された製品は、業界でもトップレベルの品質です。

アルコキシド、ハロゲン化物、有機金属は大気中の水・酸素と反応性の高いものが多いため、ガラス製アンプル、ステンレス製シリンダーなどに密閉された状態で供給いたします。

ガラス製アンプルは、アルコキシド、ハロゲン化物の供給容器としても最も良く利用されるものです。
25g入りが標準充填量です。

（a）ステンレスシリンダーは、有機金属のような大気中で発火する物質を安全に運搬する目的の他に、CVD装置に装着してただちにバブラーとして利用する目的のためにご使用いただけます。
（b） CVD装置に直接装着可能なバブラー容器として、アルコキシド等のCVD材料を充填し供給することが出来ます。ご使用量や装着される装置の寸法に合わせた容器を製作しています。