1. 高純度化学研究所
  2. 製品案内
  3. 薄膜材料
  4. スパッタリングターゲット

スパッタリング
ターゲット

Sputtering Targets

スパッタリングターゲットとは、スパッタリング法によって薄膜形成を行うための材料で、金属（メタル）やセラミックスを加工し製造されます。
弊社では、溶解技術、焼結技術、合成技術、加工技術を融合し、様々な素材、純度、形状の製品を取り扱っています。

製造方法の選択、用途・目的に応じたカスタマイズが可能です。
お客様のご要望・ターゲット材質より最適な製造方法で製造します。
また、スパッタリングターゲットに使用するバッキングプレートも、お客様のご要望に応じて製作しています。

METAL

メタル系

メタル系
メタル系2

CERAMICS

セラミックス系

セラミックス系
セラミックス系2

各種リンク

高純度材料
誘電体・
圧電体材料
電池・
エネルギー
関連材料
磁気デバイス
材料
バッキング
プレート

スパッタリングターゲット各種　製品例

金属ターゲット

※スクロールしてご覧いただけます。

高純度メタル Al、Co、Cu、Fe、Mg、Mn、Sn
高融点金属合金 Cr、Mo、Nb、Ta、Ti、V、W系合金
非磁性系合金 Al、Bi、Cu、Mg、Sn、Zn系合金/Bi2Te3、Mg2Si
磁性系合金 Co、Fe、Ni系合金/Co-Fe-B、Co-Pt、Fe-Pt
ホイスラー合金 Co、Fe、Ni基ホイスラー合金各種
Mn系合金 Mn-Al、Mn-Bi、Mn-Ga、Mn-Ir、Mn-Si
貴金属合金 Au、Ag、Pt、Pd系合金

無機化合物ターゲット

※スクロールしてご覧いただけます。

酸化物系 Al2O3、MgO、SiO2、TiO2、ZnO、La2O3
ITO、PZT、STO、LiCoO2、Li4Ti5O12、Li3PO4
炭化物系 SiC、B4C、WC
その他化合物 窒化物、フッ化物、リン化物、硫化物、セレン化物

複合ターゲット

※スクロールしてご覧いただけます。

グラニュラー薄膜材料：各種金属相+各種非金属相
金属相 Co-Cr-Pt、Fe、Fe-Ni、Fe-Ptなど各種純金属・合金
非金属相 Al2O3、MgO、SiO2など各種酸化物・窒化物

標準寸法一覧

※スクロールしてご覧いただけます。

単位：mm

丸型 径 φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4
角型 平面 127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508
厚み ｔ3、ｔ5、ｔ6.35

高純度材料

各種高純度メタル製品

Al ～6N Mn ～4N
Co ～4N5 Sn ～5N
Cu ～6N Ti ～5N
In ～5N Zn ～5N
Mg ～4N5 その他各種合金
各種高純度メタル製品
 高純度　Mg
高純度　Mn
その他合金　Co-Fe-B

高純度　Mg

「技術革新の源は高純度材料にあり」を信念に、各種高純度材料の開発・製造を行っています。
弊社では、Mgの高純度化技術を確立しました。この高純度Mgを使用して、スパッタリングターゲットを提供しています。

高純度 Mg
純度 4N5
サイズ φ50.8～φ164

分析例

単位 ： ppm

Element 高純度 Mg
4N5		 通常品 Mg
3N5
Ca ND※ 10
Cd ND※ ND※
Cu ND※ 10
Fe ND※ 40
Mn ND※ 40
Zn 20 20

※定量下限値以下

高純度　Mn

Mnは脆性のため、ターゲットの高純度化が難しい材料です。
製造条件を最適化することで、高純度Mnターゲットを実現しました。

純度 4N
サイズ ご相談ください

分析例

単位 ： ppm

Element 高純度 Mn
4N		 通常品 Mn
2N8
Ca ND※ ND※
Cr 20 130
Fe 30 1400
Mg ND※ 70
Si ND※ 10

※定量下限値以下

高純度 Mn

その他合金　Co-Fe-B

Co-Fe-Bは、脆性のため、焼結工程で作製されることが多い材料です。
弊社では、溶融法による低酸素化技術を確立し、また高純度化技術により高い純度のターゲットを実現しました。
Co-Fe-Bの組成比や、Co-Fe-B-αとして第4元素を添加するなど、お客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。

その他合金　Co-Fe-B
純度 4N
ガス量 O < 70ppm
サイズ φ50.8～φ300
B含有量 ≦ 20atm%

分析例

単位 ： ppm

Element 高純度 CoFeB
4N		 通常品 CoFeB
3N
Al ND※ ND※
Cr ND※ 20
Cu 20 20
Mn ND※ ND※
Ni ND※ 150
Si 20 20

※定量下限値以下

誘電体・圧電体材料

MEMS材料例

※スクロールしてご覧いただけます。

ゲート絶縁 La2O3、HfO2、Y2O3、HfO2-Al2O3
圧電体 PZT、PNZT、PLZT、PLT、PMN-PT、PNN-PZT、NaNbO3、KNbO3、KNN、BNT、BFO
高誘電体 (BaSr)TiO3、SrTiO3
電極 Pt、Ir、Ru、RuO2、SrRuO3、LaNiO3、(LaSr)CoO3、Ti、TiN、TiOx、Ta
MEMS材料例
PZT、PNZT
高密度 SrRuO3
非鉛高誘電体・圧電体

PZT、PNZT

酸素欠損が少なく、結晶性の良い製品をご提供することができます。

PZTターゲット

PZTターゲット

PNZT:NbドープPZTターゲット

PNZT:NbドープPZTターゲット

※スクロールしてご覧いただけます。

材料 PZT PNZT
対応比率 PbaZrbTi1-bOx
a=1.0～1.3　b=0.1～0.9		 Pba(ZrbTi1-b)cNb1-cOx
a=1.0～1.3　b=0.1～0.9　c=0.8～0.9
サイズ φ50～
厚み t3～t10
純度 3N （excluding Hf 2000-3000ppm）
不純物 Al、Cu、Ta＜100ppm

高密度 SrRuO3

SrRuOx（SRO）は、BSTやPZTをキャパシターとしたFeRAMにおいて、下部電極に使用される材料です。SROを下部電極に使用することで、Pt電極より誘電体特性が向上することが知られています。また、プロセス中の加熱時に生じる誘電体膜との反応による劣化が、Pt電極よりも少なくなることが期待されています。
弊社は、独自の技術で、パーティクルの発生を抑えることができ、安定な成膜が可能となる高密度SRO（SRO-HD）を開発いたしました。

純度 3N（Zrを除く）
サイズ ～φ300
密度(理論密度) 85%以上（6.48[g/㎤]）
高密度 SrRuO3

非鉛高誘電体・圧電体

(BaSr)TiO3を代表とする高誘電体や、NaNbO3、KNbO3、(KNa)NbO3、BNT-BTといった圧電体など幅広く取り扱っています。

（Ba0.5 Sr0.5） TiOxターゲット

(BaSr)TiOx

(BaSr)TiOx

(BaSr)TiO3は高い誘電特性を示すことから、
半導体メモリのキャパシターとして注目されています。
弊社は独自の技術を用いて通常より抵抗値の低いターゲットを開発しました。

純度 3N
サイズ φ50.8～φ300
密度(理論密度) 90％以上

※スクロールしてご覧いただけます。

  SrTiOx (Ba0.5Sr0.5)TiOx (Ba0.7Sr0.3)TiOx (Ba0.8Sr0.2)TiOx　
理論密度[g/㎤] 5.12 5.63 5.68 5.84
比抵抗 [Ω㎝] ※参考値 5×10-2以下 5×10-1以下

電池、エネルギー関連材料

二次電池材料例

※スクロールしてご覧いただけます。

正極材 LiCoO2、LiFeO2、Li2MnO3、LiFePO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiMn2O4、Li(NiMn)2O4
個体電解質 Li3PO4、(LiLa)TiO3、Li2B4O7
負極材 LiNbO3、Li2TiO3、Li4Ti5O12

太陽電池材料例

※スクロールしてご覧いただけます。

反射防止膜 MgF2、SiN、TiO2、SiO2
透明電極層 GZO、ITO、IZO、TiO2-Nb
バッファー層 ZnO、ZnS、AZO
光吸収層 CIS、CGS、CIGS、CAS、CZTS、S and/or Se化物、その他複合材料
電極 Ag、Al、Mo
光吸収層用
二次電池材料
反射防止膜用他
透明電極用他
電極用他

光吸収層用

独自の合成技術により任意の組成制御を可能にしており、ご要望に沿った組成の粉末・スパッタリングターゲットをご提供いたします。

CuInxGa1-xSe2

CuInxGa1-xSe2
品名 純度
In2Se3 ～4N
GaSe ～3N
CuInxGa1-xS2 ～3N
CuInxGa1-xSe2 ～3N
Cu-Ga ～4N

X線回折

光吸収層用の強度の図

二次電池材料

正極材、負極材、固体電解質など、二次電池材料を構成する様々な材料を製造しています。薄膜リチウム電池材料として、スパッタリングターゲット・タブレット・成型焼結体をご提供いたします。各種形状、組み合わせ、カスタマイズ対応など、ご相談ください。

反射防止膜用他

NbO

反射防止膜用他
品名 純度
SnO2 ～4N
NbOx 3N
TiO2 ～4N
MgF2 3N
ZnS ～4N

透明電極用他

In2O3-SnO2

In2O3-SnO2

透明電極やアモルファス酸化物半導体用途のターゲットおよびタブレットを取り扱っています。

品名 純度
In2O3-SnO2 ～4N
Al-doped ZnO ～4N

電極用他

Al

Al
品名 純度
Ag ～4N
Al ～5N
Mo ～3N7
ZnS ～4N

磁気デバイス材料

TMR/GMR素子材料例

磁性層 Co-Fe-B
Co-Fe、Tb-Fe-Co、Ni-Fe、Ni-Fe-Co
Co/Pt、Fe/Pt
Mn-GaなどMn合金
Co2(FeMn)SiなどCo基フルホイスラー合金
バリア層 MgO、Mg
非磁性層 Ag、Ag合金
スペーサー層 Ru、Cu、Ta
反強磁性層 Ir-Mn、Pt-Mn
電極 Cr、Au、Ru、Ta
MgO
Co合金
Mn合金

MgO

MgOは、次世代HDDメディアのテンプレート層、TMRヘッドやMRAMなどの磁性デバイスに欠かせない機能性材料です。弊社は2002年よりTMR素子に適したスパッタリングターゲットの開発・製造をいち早く始め、「高純度」「高密度」「低パーティクル」を特徴としたMgOターゲットを供給しています。

MgOターゲット・ミラー研磨品

MgOターゲット・ミラー研磨品

Co合金

Co合金は、様々な磁性デバイスで使用されている材料です。
弊社ではCo-Fe-Bターゲットをはじめ、様々な組成のCo合金ターゲットの実績があります。

例 ： Co-Fe、Co-Fe-α、Co-Ni、Co-Zr-Nb、Co-Zr-Nb-Taなど

Co合金
溶融製Co基フルホイスラー合金

溶融製Co基フルホイスラー合金

フルホイスラー合金X2YZは、MRAM、磁気センサーなど磁気デバイスへの応用が期待される材料です。従来は焼結製ターゲットを提供してきましたが、『ターゲットと薄膜との組成ズレ』などにより適用範囲が制約されていました。

また、磁性層という用途により、低酸素仕様製品のご要望も多くあります。 溶融製ターゲットはこれら焼結製ターゲットの問題点を解決すると期待されています。

Mn合金

焼結工程・溶融工程を駆使して、新規磁性層材料として期待されている各種Mn合金ターゲットを作製しています。これらの多くが脆性を有しており、焼結工程で作製されることが多い材料です。
一方、磁性層という用途により低酸素仕様製品、ターゲットの大型化のご要望も多くあります。様々な溶融製ターゲットでのご提供を目指し、チャレンジを継続しています。

Mn合金：MnxGa100-x (55≦x≦75)

貴金属・希土類フリー磁性材料として最近注目されているMn合金の溶融製大型ターゲットのご提供が可能です。

Mn合金

溶融製低酸素
Ir-Mnターゲット

Ir-Mnターゲット

Ir-Mnターゲット

Ir-Mnは不揮発性で書き換え回数が無制限という最大の特徴をもつMRAMにおける反強磁性層膜に使用されております。弊社では溶融製ターゲットの製造法を確立し低酸素化を実現しました。一般的に使用されている焼結製ターゲットと比べて、酸素による他の構造層への悪影響を防止することができます。

  • ガス成分

O＜150ppm、N＜150ppm

  • 純度

99.9％以上（Fe＜30ppm、Si＜30ppm、Cu＜20ppm）

バッキングプレート製作

バッキングプレート製作バッキングプレート製作

長年の、スパッタリングターゲットやボンディングの技術によりあらゆる要望に対応したバッキングプレートの製作を可能にしました。

弊社のバッキングプレート（スパッタリングターゲット材を貼り付けるための裏板）は、お客様のご用途に応じて、無酸素銅をはじめとする各種銅合金、スチール、ステンレススチール、アルミニウムおよびアルミニウム合金、そして、モリブデンやチタンといった素材を厳選しております。

また、これら素材の組み合わせに対しても万全の対応を行い、お客様の使いやすさを考え、改善のご提案もいたします。

製造可能寸法

製造可能寸法

研究用などに使用されるφ1 程度の小さな物から、2mを超える第7世代向け大型LCD用スパッタリングターゲット用バッキングプレートまで、丸型、角型、変形型など、1枚から製造可能です。

また、内部水冷型のバッキングプレートにおいては、ロー付け、電子ビーム溶接、拡散接合など、製造工程に合わせた各種接合方法を採用しております。

材質や形状、改善などについては、弊社営業担当までご相談ください。

なお、新規製作については図面を提出していただくか、現物をご提供ください。 採寸から図面化いたします。

金属・無機材料
受託サービス
元素別カタログ
(オンラインストア)