スパッタリング
ターゲット
Sputtering Targets
スパッタリングターゲットとは、スパッタリング法によって薄膜形成を行うための材料で、金属(メタル)やセラミックスを加工し製造されます。
弊社では、溶解技術、焼結技術、合成技術、加工技術を融合し、様々な素材、純度、形状の製品を取り扱っています。
製造方法の選択、用途・目的に応じたカスタマイズが可能です。
お客様のご要望・ターゲット材質より最適な製造方法で製造します。
また、スパッタリングターゲットに使用するバッキングプレートも、お客様のご要望に応じて製作しています。
各種リンク
スパッタリングターゲット各種 製品例
金属ターゲット
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高純度メタル | Al、Co、Cu、Fe、Mg、Mn、Sn |
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高融点金属合金 | Cr、Mo、Nb、Ta、Ti、V、W系合金 |
非磁性系合金 | Al、Bi、Cu、Mg、Sn、Zn系合金/Bi2Te3、Mg2Si |
磁性系合金 | Co、Fe、Ni系合金/Co-Fe-B、Co-Pt、Fe-Pt |
ホイスラー合金 | Co、Fe、Ni基ホイスラー合金各種 |
Mn系合金 | Mn-Al、Mn-Bi、Mn-Ga、Mn-Ir、Mn-Si |
貴金属合金 | Au、Ag、Pt、Pd系合金 |
無機化合物ターゲット
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酸化物系 | Al2O3、MgO、SiO2、TiO2、ZnO、La2O3 ITO、PZT、STO、LiCoO2、Li4Ti5O12、Li3PO4 |
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炭化物系 | SiC、B4C、WC |
その他化合物 | 窒化物、フッ化物、リン化物、硫化物、セレン化物 |
複合ターゲット
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グラニュラー薄膜材料:各種金属相+各種非金属相 | |
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金属相 | Co-Cr-Pt、Fe、Fe-Ni、Fe-Ptなど各種純金属・合金 |
非金属相 | Al2O3、MgO、SiO2など各種酸化物・窒化物 |
標準寸法一覧
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単位:mm
丸型 | 径 | φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4 |
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角型 | 平面 | 127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508 |
厚み | t3、t5、t6.35 |
各種高純度メタル製品
Al | ~6N | Mn | ~4N |
Co | ~4N5 | Sn | ~5N |
Cu | ~6N | Ti | ~5N |
In | ~5N | Zn | ~5N |
Mg | ~4N5 | その他各種合金 |

高純度 Mg
「技術革新の源は高純度材料にあり」を信念に、各種高純度材料の開発・製造を行っています。
弊社では、Mgの高純度化技術を確立しました。この高純度Mgを使用して、スパッタリングターゲットを提供しています。

純度 | 4N5 |
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サイズ | φ50.8~φ164 |
分析例
単位 : ppm
Element | 高純度 Mg 4N5 |
通常品 Mg 3N5 |
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Ca | ND※ | 10 |
Cd | ND※ | ND※ |
Cu | ND※ | 10 |
Fe | ND※ | 40 |
Mn | ND※ | 40 |
Zn | 20 | 20 |
※定量下限値以下
純度 | 4N |
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サイズ | ご相談ください |
分析例
単位 : ppm
Element | 高純度 Mn 4N |
通常品 Mn 2N8 |
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Ca | ND※ | ND※ |
Cr | 20 | 130 |
Fe | 30 | 1400 |
Mg | ND※ | 70 |
Si | ND※ | 10 |
※定量下限値以下

その他合金 Co-Fe-B
Co-Fe-Bは、脆性のため、焼結工程で作製されることが多い材料です。
弊社では、溶融法による低酸素化技術を確立し、また高純度化技術により高い純度のターゲットを実現しました。
Co-Fe-Bの組成比や、Co-Fe-B-αとして第4元素を添加するなど、お客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。

純度 | 4N |
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ガス量 | O < 70ppm |
サイズ | φ50.8~φ300 |
B含有量 | ≦ 20atm% |
分析例
単位 : ppm
Element | 高純度 CoFeB 4N |
通常品 CoFeB 3N |
---|---|---|
Al | ND※ | ND※ |
Cr | ND※ | 20 |
Cu | 20 | 20 |
Mn | ND※ | ND※ |
Ni | ND※ | 150 |
Si | 20 | 20 |
※定量下限値以下
MEMS材料例
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ゲート絶縁 | La2O3、HfO2、Y2O3、HfO2-Al2O3 |
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圧電体 | PZT、PNZT、PLZT、PLT、PMN-PT、PNN-PZT、NaNbO3、KNbO3、KNN、BNT、BFO |
高誘電体 | (BaSr)TiO3、SrTiO3 |
電極 | Pt、Ir、Ru、RuO2、SrRuO3、LaNiO3、(LaSr)CoO3、Ti、TiN、TiOx、Ta |
PZTターゲット

PNZT:NbドープPZTターゲット

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材料 | PZT | PNZT |
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対応比率 | PbaZrbTi1-bOx a=1.0~1.3 b=0.1~0.9 |
Pba(ZrbTi1-b)cNb1-cOx a=1.0~1.3 b=0.1~0.9 c=0.8~0.9 |
サイズ | φ50~ | |
厚み | t3~t10 | |
純度 | 3N (excluding Hf 2000-3000ppm) | |
不純物 | Al、Cu、Ta<100ppm |
高密度 SrRuO3
SrRuOx(SRO)は、BSTやPZTをキャパシターとしたFeRAMにおいて、下部電極に使用される材料です。SROを下部電極に使用することで、Pt電極より誘電体特性が向上することが知られています。また、プロセス中の加熱時に生じる誘電体膜との反応による劣化が、Pt電極よりも少なくなることが期待されています。
弊社は、独自の技術で、パーティクルの発生を抑えることができ、安定な成膜が可能となる高密度SRO(SRO-HD)を開発いたしました。
純度 | 3N(Zrを除く) |
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サイズ | ~φ300 |
密度(理論密度) | 85%以上(6.48[g/㎤]) |

(Ba0.5 Sr0.5) TiOxターゲット

(BaSr)TiOx
(BaSr)TiO3は高い誘電特性を示すことから、
半導体メモリのキャパシターとして注目されています。
弊社は独自の技術を用いて通常より抵抗値の低いターゲットを開発しました。
純度 | 3N |
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サイズ | φ50.8~φ300 |
密度(理論密度) | 90%以上 |
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SrTiOx | (Ba0.5Sr0.5)TiOx | (Ba0.7Sr0.3)TiOx | (Ba0.8Sr0.2)TiOx | |
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理論密度[g/㎤] | 5.12 | 5.63 | 5.68 | 5.84 |
比抵抗 [Ω㎝] ※参考値 | 5×10-2以下 | 5×10-1以下 |
二次電池材料例
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正極材 | LiCoO2、LiFeO2、Li2MnO3、LiFePO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiMn2O4、Li(NiMn)2O4 |
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個体電解質 | Li3PO4、(LiLa)TiO3、Li2B4O7 |
負極材 | LiNbO3、Li2TiO3、Li4Ti5O12 |
太陽電池材料例
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反射防止膜 | MgF2、SiN、TiO2、SiO2 |
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透明電極層 | GZO、ITO、IZO、TiO2-Nb |
バッファー層 | ZnO、ZnS、AZO |
光吸収層 | CIS、CGS、CIGS、CAS、CZTS、S and/or Se化物、その他複合材料 |
電極 | Ag、Al、Mo |
CuInxGa1-xSe2

品名 | 純度 |
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In2Se3 | ~4N |
GaSe | ~3N |
CuInxGa1-xS2 | ~3N |
CuInxGa1-xSe2 | ~3N |
Cu-Ga | ~4N |
二次電池材料
正極材、負極材、固体電解質など、二次電池材料を構成する様々な材料を製造しています。薄膜リチウム電池材料として、スパッタリングターゲット・タブレット・成型焼結体をご提供いたします。各種形状、組み合わせ、カスタマイズ対応など、ご相談ください。
NbO

品名 | 純度 |
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SnO2 | ~4N |
NbOx | 3N |
TiO2 | ~4N |
MgF2 | 3N |
ZnS | ~4N |
In2O3-SnO2

透明電極やアモルファス酸化物半導体用途のターゲットおよびタブレットを取り扱っています。
品名 | 純度 |
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In2O3-SnO2 | ~4N |
Al-doped ZnO | ~4N |
Al

品名 | 純度 |
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Ag | ~4N |
Al | ~5N |
Mo | ~3N7 |
ZnS | ~4N |
TMR/GMR素子材料例
磁性層 | Co-Fe-B Co-Fe、Tb-Fe-Co、Ni-Fe、Ni-Fe-Co Co/Pt、Fe/Pt Mn-GaなどMn合金 Co2(FeMn)SiなどCo基フルホイスラー合金 |
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バリア層 | MgO、Mg |
非磁性層 | Ag、Ag合金 |
スペーサー層 | Ru、Cu、Ta |
反強磁性層 | Ir-Mn、Pt-Mn |
電極 | Cr、Au、Ru、Ta |
MgO
MgOは、次世代HDDメディアのテンプレート層、TMRヘッドやMRAMなどの磁性デバイスに欠かせない機能性材料です。弊社は2002年よりTMR素子に適したスパッタリングターゲットの開発・製造をいち早く始め、「高純度」「高密度」「低パーティクル」を特徴としたMgOターゲットを供給しています。
Co合金は、様々な磁性デバイスで使用されている材料です。
弊社ではCo-Fe-Bターゲットをはじめ、様々な組成のCo合金ターゲットの実績があります。
例 : Co-Fe、Co-Fe-α、Co-Ni、Co-Zr-Nb、Co-Zr-Nb-Taなど


溶融製Co基フルホイスラー合金
フルホイスラー合金X2YZは、MRAM、磁気センサーなど磁気デバイスへの応用が期待される材料です。従来は焼結製ターゲットを提供してきましたが、『ターゲットと薄膜との組成ズレ』などにより適用範囲が制約されていました。
また、磁性層という用途により、低酸素仕様製品のご要望も多くあります。 溶融製ターゲットはこれら焼結製ターゲットの問題点を解決すると期待されています。
Mn合金
焼結工程・溶融工程を駆使して、新規磁性層材料として期待されている各種Mn合金ターゲットを作製しています。これらの多くが脆性を有しており、焼結工程で作製されることが多い材料です。
一方、磁性層という用途により低酸素仕様製品、ターゲットの大型化のご要望も多くあります。様々な溶融製ターゲットでのご提供を目指し、チャレンジを継続しています。
Mn合金:MnxGa100-x (55≦x≦75)
貴金属・希土類フリー磁性材料として最近注目されているMn合金の溶融製大型ターゲットのご提供が可能です。

溶融製低酸素
Ir-Mnターゲット
Ir-Mnターゲット

Ir-Mnは不揮発性で書き換え回数が無制限という最大の特徴をもつMRAMにおける反強磁性層膜に使用されております。弊社では溶融製ターゲットの製造法を確立し低酸素化を実現しました。一般的に使用されている焼結製ターゲットと比べて、酸素による他の構造層への悪影響を防止することができます。
- ガス成分
O<150ppm、N<150ppm
- 純度
99.9%以上(Fe<30ppm、Si<30ppm、Cu<20ppm)


長年の、スパッタリングターゲットやボンディングの技術によりあらゆる要望に対応したバッキングプレートの製作を可能にしました。
弊社のバッキングプレート(スパッタリングターゲット材を貼り付けるための裏板)は、お客様のご用途に応じて、無酸素銅をはじめとする各種銅合金、スチール、ステンレススチール、アルミニウムおよびアルミニウム合金、そして、モリブデンやチタンといった素材を厳選しております。
また、これら素材の組み合わせに対しても万全の対応を行い、お客様の使いやすさを考え、改善のご提案もいたします。
製造可能寸法

研究用などに使用されるφ1 程度の小さな物から、2mを超える第7世代向け大型LCD用スパッタリングターゲット用バッキングプレートまで、丸型、角型、変形型など、1枚から製造可能です。
また、内部水冷型のバッキングプレートにおいては、ロー付け、電子ビーム溶接、拡散接合など、製造工程に合わせた各種接合方法を採用しております。
材質や形状、改善などについては、弊社営業担当までご相談ください。
なお、新規製作については図面を提出していただくか、現物をご提供ください。 採寸から図面化いたします。