CVD・ALD材料

cvd

CVD・
ALD材料とは

CVD材料とは蒸気圧を有する原材料をガス化させ、様々な条件下における気相中の化学変化を利用し、希望する物質を成膜するための材料です。

シリコン半導体用液体CVD材料のうち、現在使用されている金属有機化合物はTEOS、TMB、TEB、TMP、TMOP、TEOPが一般的です。

弊社は半導体デバイス用に現在最も大量に用いられているCVD材料であるTEOSのパイオニアであり、TEOSとともに用いられることが多いTEOP、TEBなどをはじめ、様々な種類のCVD材料を製造しています。
TEOSの詳しい情報はこちらをご覧ください。

CVD材料はシリンダーでの供給が一般的です。
使用量や装置仕様に合わせた設計・製作も可能です。

ガラス製アンプルは、アルコキシド、ハロゲン化物の少量供給容器として最もよく利用されています。

ALD法とは窒化膜や酸化膜を原子層で基板上に形成し、10nm程度の薄膜を制御よく作るのに用いられます。
材料としては、酸化剤と反応性が高く、金属アルコキシドのように、自己熱分解で酸化膜ができないものが適しています。

ゲート絶縁膜やバリヤ膜には窒化膜が有効であることから金属アミド、イミド、金属塩化物が用いられます。

金属アミドはM-NR₁R₂、金属イミドはM=NR、金属塩化物はMCl_xで表される化合物です。
TEMAZ、TDMAH、TBTEMT、ZrCl₄、HfCl₄、WCl₆、AlCl₃が一般的に使用されます。

不揮発性メモリなどに使用される強誘電体用のMOCVD材料をご紹介します。
Pb(Zr,Ti)O₃(PZT)用にはdpmのようなβ-ジケトネートや、高誘電体膜のTa₂O₅用にはTa(OC₂H₅)₅が一般的に用いられます。

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